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IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
71V321X25
71V421X25
Com'l & Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l & Ind
71V321X55
71V421X55
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
t HZ
Write Cycle Time (5)
Chip Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time (1,2)
25
20
20
0
20
0
12
____
____
____
____
____
____
____
____
12
35
30
30
0
30
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
15
55
40
40
0
40
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t DH
Data Hold Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t WZ
t OW
Write Enable to Output in High-Z (1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2)
____
0
15
____
____
0
15
____
____
0
30
____
ns
ns
NOTES:
3026 tbl 10
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
3. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over
voltage and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
5. For Master/Slave combination, t WC = t BAA + t WP , since R/ W = V IL must occur after t BAA .
7
6.42
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